产品结构树

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 特色产品


强健的驱动器。更强大的系统。

当您的系统在极端温度条件下运行,遇到负电压瞬变或在高电压隔离环境中运行时,TI 强健稳定的栅极驱动器可让您安心无忧。
  • 在宽温度范围内表现始终如一:TI 的诸多栅极驱动器可在一系列温度范围内(而非仅在室温下)保证达到规范。这将消除不确定性,并可在实际环境中提供可靠性能。
  • 比输入和输出处的负电压更持久:一些常见问题可能会导致负电压,例如由开关切换、泄露甚至糟糕布局造成的寄生电感。因此,栅极驱动器承受负电压的能力对一个稳定可靠的解决方案而言至关重要。
  • 可承受需要高电压隔离的环境:随着设计逐渐朝更高功率的方向发展,隔离已在更多系统中成为强制性要求。选择 TI 的隔离式栅极驱动器能够助您实现系统的长期可靠性。
 

器件 说明 产品说明书 订购样片
UCC27201A 3A、120V 高侧、低侧驱动器
UCC27524A 5A 高速低侧双通道驱动器
UCC21520 4A/6A、5.7 kVrms 隔离式双通道驱动器

高效栅极驱动器

TI 的超快栅极驱动器产品组合可提供高驱动电流、快速传播延迟和高 VDD,高 VDD 可帮助许多应用(例如交流/直流万博国际娱乐、直流/直流转换器和逆变器)实现更高的效率。
  • 选择高电流驱动器:选择具有较高电流容量的栅极驱动器可最大程度地减少开关损耗。在有些应用中,当两个输出通道连接到一起时,具有较短延迟匹配的栅极驱动器可使您的电流驱动加倍。
  • 使用高速驱动器:快速传播延迟可最大程度地减小 MOSFET/IGBT 的导通时间,并借此最大程度地减小体二极管的导通时间,从而最大程度地减小功率损耗。这将降低体二极管上的功耗。
  • 高 VDD 设计:在较高 VDD 下运行可降低功率耗散,从而使您的系统更加高效。具有高达 35V 的宽 VDD 工作范围的栅极驱动器使您能够使用很多种万博国际娱乐开关。
 
元件 描述 电流 产品说明书 订购样片
高电流驱动器
UCC27714 4A、600V 高侧和低侧驱动器 4A 灌电流/4A 拉电流
UCC27524A 5A 高速低侧双通道驱动器 5A 灌电流/5A 拉电流
UCC27211A 4A、120V 升压、高侧和低侧驱动器 4A 灌电流/4A 拉电流
元件 说明 传播延迟 产品说明书 订购样片
高速驱动器
UCC27611 4A/6A 高速单通道驱动器 14ns
UCC27517A 4A/4A 单通道高速低侧驱动器 13ns
元件 说明 VDD 产品说明书 订购样片
高 VDD 驱动器
UCC27531 2.5A/5A、35VMAX VDD 单通道驱动器 35V
UCC21520 4A/6A、5.7 kVrms 隔离式双通道驱动器 20V