SID1102K

最大5A的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器,可为耐压1200V的IGBT和MOSFET提供加强绝缘
Typical Application Schematic with External n-MOSFET Booster Stage

数据手册

产品详情

SID1102K是采用eSOP宽体封装的单通道IGBT和MOSFET门极驱动器。该器件利用Power Integrations创新的固体绝缘FluxLink™技术实现了加强绝缘。其峰值输出驱动电流可达5A,可直接驱动300A以下的开关器件。推动级适用于超过5A的门极驱动器要求,AUXGL和AUXGH输出管脚可驱动60A的外部N沟道MOSFET。 控制器(PWM)信号兼容5V CMOS逻辑电平,使用外部分压电阻还可将逻辑电平调整到15V。副方电压管理提供+15V至-10V的双极门极驱动器电压,同时只需要一个+25V的单极电压。芯片内部的Vee稳压器对+15V门极驱动电压提供调整。欠压保护可关断门极信号,使IGBT或MOSFET保持安全工作。

应用概述

主要特征

  • IGBT门极驱动器具有更宽、更灵活的应用范围,可驱动1200V以内的IGBT模块并提供50A至3600A的IGBT电流。
  • 单通道可在不使用推动级的情况下提供5A峰值门极驱动电流
  • 外部上管和下管N沟通推动级的辅助输出可将峰值驱动电流增至60A
  • 欠压保护
  • 集成的FluxLink技术为原方与副方提供可靠绝缘
  • 轨到轨输出电压且稳压
  • 副方单万博国际娱乐供电
  • 适合600V/650V/1200V IGBT和MOSFET功率开关
  • 开关频率最高至75kHz
  • 传输延迟抖动为±5ns
  • 工作环境温度介于-40°C至125°C之间
  • 具有较高的共模瞬态抗扰性
  • 采用9.5mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装

输出功率

Product1Peak Output Drive Current
SID1102K5 A without external booster
Notes:
  1. Package - K: eSOP-R16B.

产品资料

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